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O SSD M.2 2280 Samsung 9100 Pro 4TB representa o que há de mais avançado em armazenamento de alto desempenho, ideal para profissionais exigentes, criadores de conteúdo e utilizadores que executam cargas de trabalho intensivas, incluindo aplicações de IA. Com tecnologia V-NAND TLC, controlador proprietário e uma interface PCIe 5.0 x4 com NVMe 2.0, este modelo oferece velocidades de transferência incomparáveis e desempenho aleatório superior. A sua elevada capacidade, eficiência energética otimizada e segurança robusta fazem deste SSD uma escolha premium para qualquer sistema moderno.
Capacidade
4 TB
Formato
M.2 2280
Interface
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Controlador
Samsung in-house
Memória flash
Samsung V-NAND TLC
Cache
Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Velocidade de leitura sequencial
Até 14.800 MB/s
Velocidade de escrita sequencial
Até 13.400 MB/s
Leitura aleatória (IOPS)
Até 2.200.000 IOPS
Escrita aleatória (IOPS)
Até 2.600.000 IOPS
Segurança
Encriptação AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive
Eficiência energética
Arquitetura de controlador de 5 nm com eficiência até 49% superior ao Samsung 990 PRO
Software
Compatível com Samsung Magician para gestão, otimização e atualização
Dimensões do produto
80.15 x Máx. 22.15 x Máx. 2.38 mm
Paga em 3 prestações sem juros de 166.63€
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DEVOLUÇÕES O SSD M.2 2280 Samsung 9100 Pro 4TB representa o que há de mais avançado em armazenamento de alto desempenho, ideal para profissionais exigentes, criadores de conteúdo e utilizadores que executam cargas de trabalho intensivas, incluindo aplicações de IA. Com tecnologia V-NAND TLC, controlador proprietário e uma interface PCIe 5.0 x4 com NVMe 2.0, este modelo oferece velocidades de transferência incomparáveis e desempenho aleatório superior. A sua elevada capacidade, eficiência energética otimizada e segurança robusta fazem deste SSD uma escolha premium para qualquer sistema moderno.
Capacidade
4 TB
Formato
M.2 2280
Interface
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Controlador
Samsung in-house
Memória flash
Samsung V-NAND TLC
Cache
Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Velocidade de leitura sequencial
Até 14.800 MB/s
Velocidade de escrita sequencial
Até 13.400 MB/s
Leitura aleatória (IOPS)
Até 2.200.000 IOPS
Escrita aleatória (IOPS)
Até 2.600.000 IOPS
Segurança
Encriptação AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive
Eficiência energética
Arquitetura de controlador de 5 nm com eficiência até 49% superior ao Samsung 990 PRO
Software
Compatível com Samsung Magician para gestão, otimização e atualização
Dimensões do produto
80.15 x Máx. 22.15 x Máx. 2.38 mm
