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O SSD M.2 2280 Samsung 9100 Pro 2TB é uma solução de armazenamento de alto desempenho projetada para utilizadores exigentes, como criadores de conteúdo, gamers e profissionais que lidam com tarefas intensivas em dados. Equipado com memória flash V-NAND TLC e uma interface PCIe 5.0 x4 compatível com NVMe 2.0, este SSD oferece velocidades de leitura e escrita que duplicam as do Samsung 990 PRO. Além do desempenho superior, integra tecnologias avançadas de segurança, gestão térmica eficiente e suporte ao software Samsung Magician, proporcionando uma experiência rápida, segura e estável em qualquer ambiente de uso.
Capacidade
2 TB
Formato
M.2 2280
Interface
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Controlador
Samsung in-house
Memória flash
Samsung V-NAND TLC
Cache
Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM
Velocidade de leitura sequencial
Até 14.700 MB/s
Velocidade de escrita sequencial
Até 13.400 MB/s
Leitura aleatória (IOPS)
Até 1.850.000 IOPS
Escrita aleatória (IOPS)
Até 2.600.000 IOPS
Segurança
Encriptação AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive
Eficiência energética
Arquitetura de controlador de 5 nm com eficiência até 49% superior ao Samsung 990 PRO
Software
Compatível com Samsung Magician para gestão, otimização e atualização
Dimensões do produto
80.15 x Máx. 22.15 x Máx. 2.38 mm
Paga em 3 prestações sem juros de 86.63€
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DEVOLUÇÕES O SSD M.2 2280 Samsung 9100 Pro 2TB é uma solução de armazenamento de alto desempenho projetada para utilizadores exigentes, como criadores de conteúdo, gamers e profissionais que lidam com tarefas intensivas em dados. Equipado com memória flash V-NAND TLC e uma interface PCIe 5.0 x4 compatível com NVMe 2.0, este SSD oferece velocidades de leitura e escrita que duplicam as do Samsung 990 PRO. Além do desempenho superior, integra tecnologias avançadas de segurança, gestão térmica eficiente e suporte ao software Samsung Magician, proporcionando uma experiência rápida, segura e estável em qualquer ambiente de uso.
Capacidade
2 TB
Formato
M.2 2280
Interface
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Controlador
Samsung in-house
Memória flash
Samsung V-NAND TLC
Cache
Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM
Velocidade de leitura sequencial
Até 14.700 MB/s
Velocidade de escrita sequencial
Até 13.400 MB/s
Leitura aleatória (IOPS)
Até 1.850.000 IOPS
Escrita aleatória (IOPS)
Até 2.600.000 IOPS
Segurança
Encriptação AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive
Eficiência energética
Arquitetura de controlador de 5 nm com eficiência até 49% superior ao Samsung 990 PRO
Software
Compatível com Samsung Magician para gestão, otimização e atualização
Dimensões do produto
80.15 x Máx. 22.15 x Máx. 2.38 mm
